| 专利名称 | 一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法 | 申请号 | CN200910243028.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102103953A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;黄青松;王刚;王文军;王皖燕;郭丽伟;林菁菁;贾玉萍;李康;彭同华 | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法 至一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法，这种垂直站立的石墨烯条带通过生长过程中的压力和温度来控制其密度和长宽比，通过延长生长时间来增加条带高度或长度。这种垂直站立的高长宽比的纳米石墨烯条带做为冷阴极材料使用时，其阈值开启电场低至0.765Vμm-1，场增强因子可达17140。这种垂直站立的石墨烯条带底端可以由数层石墨烯连接在一起，整个膜层内导电性良好，膜层大小可达2英寸到4英寸，即与碳化硅基底尺寸相当。光学显微镜和扫描电子显微图像显示这一冷阴极材料是厚度可达几十甚至上百个微米的碳膜，也即石墨烯条带的高度甚至可以达到几百个微米，而条带的宽度只有几个或几十个纳米。这一碳膜结构完整，可以像一张纸一样随意移动或携带。 |
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