| 专利名称 | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN201010145211.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214573A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 至一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法，包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：在源漏电极间施加直流电压并监测电流；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。利用本发明，调节RF激励信号频率接近一维压电纳米线固有频率，使得一维压电纳米线发生共振，导致周期性振荡形变，将激励信号能量转换为一维压电纳米线的能量，达到制作纳米线共振压电场效应晶体管的目的。 |
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