| 专利名称 | 一种钴－自对准硅化物的方法 | 申请号 | CN00135752.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1360340 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;季红浩;柴淑敏 | 主分类号 | H01L21/20 | IPC主分类号 | H01L21/20;H01L21/363 | 专利有效期 | 一种钴－自对准硅化物的方法 至一种钴－自对准硅化物的方法 | 法律状态 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 说明书摘要 | 一种钴—自对准硅化物的方法,本方法具有五个 步骤:步骤1:采用钴/钛/硅固相反应结构;步骤2:采用氢氟酸/异 内醇溶液的清洗;步骤3:采用溅射钴/钛膜前的真空腔内退火处 理;步骤4:低应力双层钴/钛复合膜的溅射;步骤5:钴—自对准硅 化物工艺。 |
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