| 专利名称 | 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 | 申请号 | CN00135750.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1360341 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;柴淑敏;邢小平 | 主分类号 | H01L21/28 | IPC主分类号 | H01L21/28 | 专利有效期 | 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 至采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的 方法,包括如下步骤;步骤1:在源/漏结形成后、溅钛前,对整个硅 片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移;步骤2:溅 钛前,对硅片进行清洗处理;步骤3:溅钛前进行真空腔内预退火 处理;步骤4:进行薄钛－自对准硅化物工艺。 |
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