| 专利名称 | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 | 申请号 | CN00135748.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1360342 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤 | 主分类号 | H01L21/306 | IPC主分类号 | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213 | 专利有效期 | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 至70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种70纳米器件工艺剖面结构的实现方法,其主 要步骤如下:步骤1:横向限定的超陡的倒掺杂纵向沟道剖面的 实现;步骤2:沟道区注氮后栅氧化;步骤3:横向沟道剖面控制的 实现;本发明具有不需大型的专用设备、成本低、环境污染小和 工艺简单的优点。 |
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