| 专利名称 | 锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法 | 申请号 | CN00135751.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1360343 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;殷华湘;钱鹤 | 主分类号 | H01L21/336 | IPC主分类号 | H01L21/336;H01L21/26;H01L21/324 | 专利有效期 | 锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法 至锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法 | 法律状态 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 说明书摘要 | 一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源 漏延伸区的方法,在硅表面上用元素锗的预无定形注入,进行快 速热退火,形成超浅的PN结与NP结,消除注入损伤带来的结漏 电,步骤为:(1)在原始硅片上形成低掺杂的阱;(2)一次光刻,局部 场氧化隔离,形成有源区;(3)锗重离子预无定形注入;(4)通过两 次光刻分别进行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN结与NP 结;(5)低温侧墙氧化淀积,光刻和RIE刻蚀深源漏区;(6)深源漏 区注入;(7)快速热退火。 |
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