| 专利名称 | 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 | 申请号 | CN00135749.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1360088 | 公开（授权）日 | 2002.07.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子中心 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;钱鹤;于雄飞;赵玉印 | 主分类号 | C23F1/02 | IPC主分类号 | C23F1/02;C23F1/24;H01L21/306 | 专利有效期 | 70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 至70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀 方法,本方法包括:步骤一:采用为氟化处理技术;步骤二:采用为 70纳米电子束胶图形的转移技术;其在现有设备的基础上实现 超微细加工,同时具有成本低和工艺简单的优点,实现了高保真 度的图形转移,并具有较强的抗腐蚀能力。 |
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