| 专利名称 | 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法 | 申请号 | CN01139288.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1359158 | 公开（授权）日 | 2002.07.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 安正华;张苗;林成鲁;刘卫丽;沈勤我 | 主分类号 | H01L27/12 | IPC主分类号 | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/02;H01L21/20 | 专利有效期 | 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法 至一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 说明书摘要 | 本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及 制备方法。其特征在于它具有Si/SiGe/SiO2/Si或SiGe/SiO2/Si的SiGe－OI结构,前者Ge组分恒定,一般小于30％； 后者由递变Ge组分的SiGe缓冲层和Ge组分固定的SiGe层组成一种以外延和离子注入和键合技术,并利用特定的热处理工艺实现应变异质结结构的应变反转,从而得到高性能异质结MOSFET、MODFET等器件所需要的双轴张应变Si层。先在处理后的单晶Si衬底上外延一层SiGe薄层,注入H+离子或He+离子,注入能量为10keV～1MeV,剂量为1016～1017/cm2,形成气泡空腔层,利用键合工艺将另一片衬底材料于氧化硅片键合,在300～600℃下热处理,是键合片从气泡层处裂开,最后在800～1000℃、N2或Ar气氛中退火,加强键合,具有工艺简单、重复性和均匀性好的特点,且与常规硅集成电路工艺兼容。 |
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