| 专利名称 | 低温无损伤深斜硅刻蚀系统 | 申请号 | CN200920313340.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201581133U | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低温无损伤深斜硅刻蚀系统 至低温无损伤深斜硅刻蚀系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种低温无损伤深斜硅刻蚀系统，属于半导体技术领域。所述系统包括：容纳刻蚀材料的供料装置；连接到所述供料装置的刻蚀腔；所述刻蚀腔包括：腔体；喷嘴，所述喷嘴固定于所述腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，所述支架以角度可调整的方式固定于所述腔体内，并且位于所述喷嘴相对的另一侧；掩蔽板，所述掩蔽板位于所述喷嘴与所述支架之间，固定于所述腔体内壁，在所述掩蔽板上与所述喷嘴对应的位置形成有供刻蚀材料穿过的孔或缝。利用本实用新型，可以解决目前的刻蚀技术中刻蚀选择比差、速率低等问题，能够提高刻蚀速率和刻蚀选择比，提供光滑度高、具有倾斜沟槽的硅片，并且能提高安全性。 |
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