| 专利名称 | 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 | 申请号 | CN200910048849.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101851783A | 公开（授权）日 | 2010.10.06 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 葛增伟;朱勇;吴国庆;殷学技;唐林耀;赵寒冰;顾李臻 | 主分类号 | C30B29/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 至一种高纯二氧化碲单晶及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高纯二氧化碲单晶及制备方法，属于单晶生长技术领域。本发明的制备过程为首先进行第一次单晶生长，然后将所得单晶重新溶解，之后加入沉淀剂制粉，最后将所制粉体进行第二次单晶生长后获得高纯单晶。本发明制备的二氧化碲单晶纯度高，尤其是U、Th等放射性杂质含量可降低至10-13g/g。 |
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