| 专利名称 | 具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 | 申请号 | CN200910080593.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101845039A | 公开（授权）日 | 2010.09.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘新厚;侯文军;冯姝雯;刘家磊;邱玲;甄珍 | 主分类号 | C07D409/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D409/06(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L69/00(2006.01)I;C08K5/45(2006.01)I;C08K5/548(2006.01)I;G02F1/361(2006.01)I | 专利有效期 | 具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 至具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及有机二阶非线性光学材料领域，特别涉及一类高性能的氨基苯类电子给体、噻吩类π电子桥和三氰基吡咯啉类电子受体的具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团及其合成方法和用途。在本发明的合成方法中合成出的噻吩类π电子桥，能够有效提高电子的共轭传输能力，降低分子间的相互作用力，提高发色团分子的一阶分子超极化率(β)。本发明的具有以下结构的高性能的具有D-π-A结构的二阶非线性光学发色团作为二阶非线性光学材料在信号调制领域具有重要的应用前景。 |
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