| 专利名称 | 受控横向刻蚀方法 | 申请号 | CN201110281364.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021800A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 专利有效期 | 受控横向刻蚀方法 至受控横向刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种受控横向刻蚀方法，包括：在包括突出结构的第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层与所述突出结构的竖直表面相对的外侧，形成侧墙；在所述第二材料层以及所述侧墙的表面上形成第三材料层；在所述第三材料层上覆盖沿第一材料层的横向表面方向延伸的掩膜层；对所述突出结构侧面上的层进行横向刻蚀。 |
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