| 专利名称 | 一种发光二极管外延结构 | 申请号 | CN201310043789.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107253A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 贾海强;陈弘;马紫光;江洋;王文新;王禄;李卫 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 专利有效期 | 一种发光二极管外延结构 至一种发光二极管外延结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种发光二极管（LED）外延结构，包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括多个耦合阱，所述多个耦合阱均为窄阱，相邻的耦合阱之间有窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。本发明采用的宽窄阱复合结构同时实现了俘获大量载流子和辐射复合效率高两种效果，能够显著提高LED的发光效率，而且，通过对载流子隧穿的调制，实现了在单芯片内对多色LED波长和亮度的调节。 |
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