| 专利名称 | 一种原子层沉积设备 | 申请号 | CN201210477229.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103103497A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种原子层沉积设备 至一种原子层沉积设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子器件制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通过电线与所述直流电源的正极连接。本发明是在薄膜的表面垂直的方向上加上一直流电压，由于电场的方向与薄膜形成势的方向相反，抑制薄膜表面的成核形成能，阻止了薄膜原子在整个ALD过程中在表面的移动成核，从而实现二维薄膜的生长。 |
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