| 专利名称 | 适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 | 申请号 | CN201310040103.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103105011A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所;上海德福光电技术有限公司 | 发明（设计）人 | 陆卫;陈飞良;王少伟;俞立明;刘星星;简明;郭少令;陈效双;王晓芳 | 主分类号 | F24J2/48(2006.01)I | IPC主分类号 | F24J2/48(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 专利有效期 | 适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 至适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%，发射率小于2%，具有超低发射率，光热转换效率高的特点，同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高，利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器，适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用，尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制，实现低成本大规模高效生产。 |
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