| 专利名称 | 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 | 申请号 | CN201310068781.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103107096A | 公开（授权）日 | 2013.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 至一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：停止生长，更换衬底舟和反应室内管，高温退火30分钟后，在高温砷化镓层上生长半绝缘InGaP层；步骤4：在半绝缘InGaP层上生长薄砷化镓层以及砷化镓基nMOS结构；步骤5：制作栅氧化物、源极、栅极和漏极，完成硅基III-V族nMOS器件的制备。 |
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