| 专利名称 | 硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法 | 申请号 | CN201310012197.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103094415A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘静;伊福廷 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法 至硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法，该方法包括：在硅片表面生长一层氯化铯薄膜；将表面具有氯化铯薄膜的硅片放入一定湿度的通气腔体内显影，在硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构；对表面具有氯化铯纳米圆岛结构的硅片进行等离子体刻蚀，将获得的氯化铯纳米圆岛结构转移成硅纳米柱状结构；采用热扩散的方法对硅纳米柱状结构进行三氯氧磷扩散，并控制扩散深度，形成体向或径向P-N结结构。利用本发明，具有低成本和较强的工艺适应性能，能够在不同硅表面上生长和完成。该纳米织构化P-N结结构可以有效地减小来自各个角度的入射光的反射，增加对入射光的吸收，提高太阳电池的光电转换效率。 |
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