| 专利名称 | 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器 | 申请号 | CN201310030236.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103091870A | 公开（授权）日 | 2013.05.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 尹伟红;韩勤;杨晓红 | 主分类号 | G02F1/03(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/03(2006.01)I | 专利有效期 | 一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器 至一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，该电吸收调制器制作在衬底上，包括：形成于衬底上的下反射镜；形成于下反射镜上的介质缓冲层；形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜；形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜；以及形成于单层石墨烯薄膜上且环绕于上反射镜周边的金属正电极。本发明提供的这种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器，光垂直入射到器件，通过给器件施加栅偏压可以调制石墨烯中费米能级的高低，从而控制石墨烯对光的吸收与否，进而达到光调制的目的。本发明可以有很大的尺寸与光谱调制范围的设计自由度，功耗小，插入损耗低，对光信号无偏振态要求，且易于硅基集成。 |
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