| 专利名称 | 基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备 | 申请号 | CN201110309540.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103046028A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | 基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备 至基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备，包括沉积腔室、等离子气体产生系统、射频电源匹配器及射频电源、温度采集电路、PID控制电路、加热及散热装置；所述温度采集电路采集所述沉积腔室的温度；所述PID控制电路接收所述温度采集电路采集的温度，控制所述加热及散热装置对所述沉积腔室加热或散热。本发明提供的基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备，能使沉积腔室中的基片保持在设定的温度范围内，且能够快速的达到预设的温度值。 |
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