| 专利名称 | 曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法 | 申请号 | CN01126836.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1337581 | 公开（授权）日 | 2002.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;董健;王跃林 | 主分类号 | G01P15/02 | IPC主分类号 | G01P15/02 | 专利有效期 | 曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法 至曲面贴合过载保护的硅微加速度传感器及制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种曲面贴合过载保护的硅微加速 度传感器及制造方法,属于硅微机械传感器技术领域。其结构 特征在于悬臂梁的过载保护是采用位于悬臂梁两侧的二个曲 面,该曲面是按悬臂梁的挠曲函数设计的,整个硅微加速度传 感器为单片硅的整体式结构,无需另外封接过载保护盖板。本 传感器在制作方面的特征是利用N掺杂(100)硅片微机械加 工技术,用深反应离子刻蚀加工横向悬臂梁的同时,在其二侧 加工出与挠曲函数表达的梁挠曲相同的过载保护曲面。本发 明特点是结构简单、构思巧妙,传感器体积小,制作方便,可适 合高量程(1万—10万g)的加速度传感器,具有广阔的应用前 景。 |
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