| 专利名称 | 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法 | 申请号 | CN201110324587.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065931A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;刘林杰;卞建涛;陈达;姜海涛;薛忠营;狄增峰 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法 至一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si1-xGex层，其中Ge组分x为0 x≤0.5，并使Si1-xGex层的厚度不超过其生长在Si外延层上的临界厚度；然后对样品进行氦离子注入及氢离子，并使离子的峰值分布在中间薄层，经退火后使顶Si1-xGex层弛豫；最后将样品与支撑衬底键合，并依次进行预键合、剥离、以及加强键合作业，最后经选择性腐蚀去除残余的中间薄层及Si外延层，实现材料的层转移，本发明由于两次注入的离子都分布在薄层处，形成氢氦共注，有效降低剥离所需注入剂量，进而达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。 |
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