| 专利名称 | 一种利用ALD制备栅介质结构的方法 | 申请号 | CN201210477230.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065955A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董亚斌;夏洋;李超波;张阳 | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用ALD制备栅介质结构的方法 至一种利用ALD制备栅介质结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及制备集成电路器件的技术领域，具体涉及一种利用ALD制备栅介质结构的方法。所述方法，包括如下步骤：步骤(1)，将衬底放入ALD设备的腔室中；步骤(2)，在所述衬底表面生长单层HfO2；步骤(3)，在所述单层HfO2表面生长单层Al2O3；步骤(4)，重复步骤(2)和步骤(3)，得到HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构。本发明制备出的HfO2和Al2O3交叠生长的栅介质结构能够充分的实现Hf和Al的原子的结合，以及相互之间的作用，提高栅介质的电学性能。 |
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