| 专利名称 | 绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构 | 申请号 | CN201310013014.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103066120A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明（设计）人 | 陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今;邱颖斌 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构 至绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种绝缘栅型双极晶体管的背面集电极结构，所述绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构，它包括硅衬底层与集电极金属层，在硅衬底层的背面具有呈间隔分布的高浓度注入区与低浓度注入区，且高浓度注入区对应位置的硅衬底层的厚度小于低浓度注入区对应位置的硅衬底层的厚度。本发明通过高浓度注入区与低浓度注入区间隔分布，可以有效降低背面集电极的注入效率，提高器件的开关性能；本发明对于薄片、超薄片工艺来说，提高了芯片的平均厚度，可以减小碎片的风险。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障