| 专利名称 | MOSFET及其制造方法 | 申请号 | CN201110322087.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103066122A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;马小龙 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | MOSFET及其制造方法 至MOSFET及其制造方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种MOSFET，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙结构、栅极侧墙结构两侧衬底中的源漏区，其特征在于：栅极侧墙结构包括第一栅极侧墙和第二栅极侧墙，第二栅极侧墙的材质为DLC。依照本发明的高应力MOSFET及其制造方法，采用高应力的DLC薄膜作为栅极侧墙，缩短了应力层与沟道区的距离，有效提升了沟道区载流子迁移率，提高了器件性能。 |
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