| 专利名称 | 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 | 申请号 | CN201310023622.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103065973A | 公开（授权）日 | 2013.04.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李士颜;周旭亮;于红艳;李梦珂;米俊萍;潘教青 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 至在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；采用低压MOCVD的方法，在沟槽内依次生长P型InP缓冲层、P型GaInAs缓冲层和GaInAs沟道层；采用化学抛光的方法，将超出沟槽的GaInAs沟道层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平；采用离子注入的方法在GaInAs沟道层的两端制备两个N+高掺杂区，并用金属引出两个源极和漏极，形成基片；采用原子束沉积的方法，在基片的上表面覆盖一层Al2O3绝缘层；在源极和漏极之间的Al2O3绝缘层上制备栅极，完成InP基的n-MOS器件的制备。 |
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