| 专利名称 | 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法 | 申请号 | CN201210587242.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103014847A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;郭庆磊;张苗;叶林;薛忠营;陈龙;王刚;高晓强 | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I;C30B33/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法 至一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI?结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI?结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI?结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余?Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。 |
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