| 专利名称 | 一种半导体结构 | 申请号 | CN201090000830.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202917448U | 公开（授权）日 | 2013.05.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：硅衬底(201)；形成于所述硅衬底(201)上的宽带隙半导体层(202)；以及形成于所述宽带隙半导体层(202)上的硅层(203)。短沟道效应能够得到抑制。 |
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