| 专利名称 | 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210575643.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035841A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 纪兴龙;吴良才;宋志棠;朱敏;饶峰;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 专利有效期 | 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法 至用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 |
本发明提供一种用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法，所述Ti-Ge-Te系列材料的化学式为：Ti1-x-yGexTey，其中0 |
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