半导体微台面列阵的测量装置和方法

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专利名称 半导体微台面列阵的测量装置和方法 申请号 CN201210525706.0 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103033131A 公开(授权)日 2013.04.10 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 熊敏;赵迎春;董旭;时文华;张宝顺 主分类号 G01B11/00(2006.01)I IPC主分类号 G01B11/00(2006.01)I;G01B11/02(2006.01)I;G01B11/22(2006.01)I;G01B11/14(2006.01)I 专利有效期 半导体微台面列阵的测量装置和方法 至半导体微台面列阵的测量装置和方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提出一种半导体微台面列阵的测量装置和方法,该方法基于宽谱热光源照明干涉仪的光学测量装置与方法,结合光学相干层析技术与衍射度量技术的特点,可无损、快速的测量微台面列阵的表面形貌并准确提取微台面列阵的周期、横向尺寸与深度等几何信息,满足微台面列阵的测量要求。

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