| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110303593.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103035712A | 公开（授权）日 | 2013.04.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底、衬底中外延生长的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙、衬底中沟道层两侧的源漏区，其特征在于：沟道层的载流子迁移率高于衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在后栅工艺中采用外延的高迁移率材料填充沟槽形成器件沟道区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，器件源漏区仍采用传统衬底材料而便于采用后栅工艺，提高性能同时降低了成本。 |
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