| 专利名称 | 基于压力测量模块的原子层沉积设备及其使用方法 | 申请号 | CN201110309998.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103046030A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉 | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 基于压力测量模块的原子层沉积设备及其使用方法 至基于压力测量模块的原子层沉积设备及其使用方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种基于压力测量模块的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；沉积室内设有压力测量模块，压力测量模块与控制部件电连接。本发明还提供一种基于压力测量模块的原子层沉积设备的使用方法。本发明通过采用压力测量模块可使气体流量和化学试剂利用率得到极好的平衡，减少化学试剂的浪费以及后期尾气可能造成的污染；同时通过对清理气体流量的调节，可有效的降低清除气体停留时间和化学试剂的去除时间，进而降低沉积反应周期时间，在短时间内加工出所需厚度的膜层。 |
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