| 专利名称 | 一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法 | 申请号 | CN201110315850.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103043710A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 王元生;牛牧童;黄烽 | 主分类号 | C01G19/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G19/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法 至一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2，形成半导体异质结。本发明的制备方法过程简便、原料廉价、产率高，适用于目前文献报导的各种形貌和暴露面的α-Fe2O3纳米晶，且不受纳米晶表面残留的表面活性剂的影响。 |
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