| 专利名称 | 一种PN结阵列受光的太阳电池 | 申请号 | CN201220384458.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202888183U | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓惠勇;郭建华;邱锋;吕英飞;胡淑红;胡古今;戴宁 | 主分类号 | H01L27/142(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/142(2006.01)I | 专利有效期 | 一种PN结阵列受光的太阳电池 至一种PN结阵列受光的太阳电池 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种PN结阵列受光的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的PN结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至PN结阵列。本专利最大的优点是：由于采用了PN结阵列直接受光的结构，工作时太阳光无须穿越p型或n型薄膜，解决了当前太阳电池的顶层薄膜对太阳光的强吸收的难题，避免了太阳光入射至PN结前的能量损耗，从而提高了太阳电池的光电转换效率。 |
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