| 专利名称 | 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210590800.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103050553A | 公开（授权）日 | 2013.04.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 | 发明（设计）人 | 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;张妍;王学敏;李松;屈秋霞;张缔;朱龙来;徐浩宇;闫用用 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 至一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体硅太阳能电池的技术领域，具体地说是一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法。所述结构包括基区、PN结、发射区、第一介质层、第二介质层、第三介质层、铝薄层、第一本征氢化非晶硅层、第二本征氢化非晶硅层、正面电极及背面电极，其中PN结位于基区和发射区之间，第一介质层作为正面减反射层和钝化层，第二介质层作为背面钝化层，所述第三介质层作为背面介质层的盖层，第一本征氢化非晶硅层位于第一介质层和发射区之间，第二本征氢化非晶硅层位于基区和第二介质层之间，铝薄层位于第三介质层的外侧，正面电极和背面电极分别置于晶硅太阳能电池正面和背面。本发明利用微波PECVD方法实现高质量的背表面钝化，可以提高转化效率1％。 |
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