| 专利名称 | 制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法 | 申请号 | CN201210535592.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022249A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明（设计）人 | 陈旺寿;肖旭东;张撷秋;刘壮;顾光一;杨春雷;宋秋明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I | 专利有效期 | 制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法 至制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上继续沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；蒸发监控装置，蒸发监控装置用于监测衬底表面温度、衬底在监测读数快速上升的时候离开第三镀膜室；第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550~650℃。本发明还提供一种制备铜铟镓硒光吸收层的方法。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障