| 专利名称 | 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术 | 申请号 | CN201210506767.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022246A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘丹;王晨飞;钟艳红;周松敏;林春;叶振华;廖清君;胡晓宁 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术 至基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于碲镉汞红外探测器衬底去除技术中的选择性湿法腐蚀工艺方法，该方法是在红外光敏感芯片和读出电路在冷压混成互连后，采用高选择比的无机酸腐蚀液，通过湿法腐蚀工艺，完全腐蚀衬底留下外延层，以展宽探测波段至可见光，减小衬底与读出电路间热应力失配导致的损伤，消除衬底荧光效应，从而提高探测器性能和模块的可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。 |
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