| 专利名称 | 双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 | 申请号 | CN201210539358.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022336A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吴立明;林志盛;陈玲 | 主分类号 | H01L35/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/18(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 至双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3?(x?=?0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、?Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、?Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。 |
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