| 专利名称 | 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 | 申请号 | CN201210546598.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022135A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 至一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层；在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构；在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层；在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极；以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极。本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明，实现了低的源漏寄生电阻，提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能，满足了高性能III-V?CMOS技术在数字电路上的应用需求。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障