| 专利名称 | 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 | 申请号 | CN201210575312.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103021927A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;母志强;薛忠营;陈达;张苗;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 专利有效期 | 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 至混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述顶层硅膜表面或所述顶层硅膜内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗，III-V族材料或者应变硅混合共平面的SOI衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。 |
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