| 专利名称 | 一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 | 申请号 | CN201110279269.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103018806A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;史丽娜;朱效立 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 至一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法。该方法包括：在双面抛光的硅基衬底的背面制备氮化硅自支撑薄膜窗口；在硅基衬底正面的氮化硅薄膜上旋涂电子束抗蚀剂HSQ；对该HSQ进行电子束直写曝光，形成光栅线条和包围该光栅线条的圆环，并显影后定影得到光栅线条图形和圆环图形；在该硅基衬底的正面磁控溅射沉积铬材料，作为光栅线条图形和圆环图形周边的挡光层；去除圆环图形内的铬材料，仅保留圆环图形外的材料铬，作为吸收杂散光的吸收体；在硅基衬底的正面采用原子层沉积技术生长金材料；以及去除该圆环图形外的铬材料之上、光栅线条图形之间以及光栅线条图形之上沉积的金材料，仅保留光栅线条图形侧墙的金材料。 |
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