| 专利名称 | 拓扑绝缘体结构 | 申请号 | CN201210559564.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103022341A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 | 申请（专利权）人 | 清华大学;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 拓扑绝缘体结构 至拓扑绝缘体结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括绝缘基底及生长在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜，该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0 |
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