| 专利名称 | 一种沟道式电容器的制作方法 | 申请号 | CN200910077670.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800165A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕垚;李宝霞;万里兮 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 专利有效期 | 一种沟道式电容器的制作方法 至一种沟道式电容器的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种沟道式电容器的制作方法，包括：提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO2作为掩模层、物理保护层以及电学绝缘层；采用光刻胶掩模并按照所需要的电容量刻蚀SiO2至Si层，开出不同面积的电容窗口；在该窗口内利用光刻胶作为掩模，通过刻蚀制备出具有沟道的基底以及P型层电极区；直接利用保留在Si衬底上的SiO2作为掩模，在硅衬底沟道表面形成一层高掺杂的n+层，在其结深处形成PN结结电容；利用蒸发或溅射等手段在电容表面大面积蒸镀金属；用光刻胶作为掩模，使用湿法腐蚀，在开出的窗口层、N型电极及P型层电极区域形成金属电极；将制备好的沟道电容在高温下退火，使其P、N两个电极上均形成良好的欧姆接触。本发明克服了介质层难于生长，费用昂贵等问题，减少了加工步骤，降低了成本。 |
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