| 专利名称 | InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构 | 申请号 | CN200910090349.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101989838A | 公开（授权）日 | 2011.03.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈高鹏;吴旦昱;苏永波;金智;刘新宇 | 主分类号 | H03F1/56(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/56(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 专利有效期 | InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构 至InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种应用于InP?DHBT?W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，该结构由并联在InP?DHBT器件集电极端的电阻-扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP?DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。利用本发明，在实际应用中与InP?DHBT半导体工艺完全兼容，可以在很宽的带宽内有效消除功率放大器的低频不稳定性，从而可以有效抑制在W波段功率放大器中常见的低频振荡，提高了W波段功率放大器的稳定性和宽带性能，同时该稳定网络对电路的整体增益影响极小，能够获得高增益的功率放大器性能。 |
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