| 专利名称 | GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路 | 申请号 | CN200910090348.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101989837A | 公开（授权）日 | 2011.03.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦;刘新宇 | 主分类号 | H03F1/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/32(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I;H03K19/018(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路 至GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs?HBT高增益宽带线性跨导单元电路，包括：输入级子电路、基本跨导子电路、线性化子电路、负阻子电路和镜像电流源子电路，其中：输入级子电路用于对输入的差分电压IN_P和IN_N进行电平移位，并将移位之后的信号导入到基本跨导子电路；基本跨导子电路用于将输入的差分电压信号转换为差分电流信号；线性化子电路用于提高基本跨导电路的线性度；负阻子电路用于提高跨导电路的增益；镜像电流源子电路用于为其余所有电路提供偏置电流。本发明采用GaAs?HBT工艺设计制造，具有很宽的工作带宽；采用的线性化子电路可以有效地补偿电路非线性，提供优良的线性度；采用的负阻子电路，有效解决了电路高增益要求与晶体管饱和的矛盾，提供高增益性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障