| 专利名称 | 金刚石（111）面上的石墨烯制备方法 | 申请号 | CN200910242957.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102102220A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 顾长志;路超;李俊杰 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 专利有效期 | 金刚石（111）面上的石墨烯制备方法 至金刚石（111）面上的石墨烯制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种金刚石(111)面上的石墨烯制备方法，其主要步骤为：1)在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层：把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统的腔体中衬底托上，生长金刚石过渡层；2)在金刚石过渡层上生长B掺杂的金刚石膜；3)退火自组织形成石墨烯。本发明可以制备出的样品尺寸比较大，从纳米尺度到微米甚至毫米尺度。本发明的自组装生长石墨烯的方法简便，比较容易实现，且发明中所生长的石墨烯面积可控性较高，可以达到目前多数方法所不能实现的微米尺寸以上。此外，由于金刚石的很多优异特性，以及掺硼金刚石衬底的不对称性，使得在硼掺杂金刚石衬底上形成的石墨烯更容易产生能隙，从而更有利于石墨烯在器件中的应用。 |
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