| 专利名称 | 半导体结构及其形成方法 | 申请号 | CN200910243804.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102104070A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其形成方法 至半导体结构及其形成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅堆叠，其中，所述栅堆叠包括高K栅介质层和含氧的金属栅极；形成在所述栅堆叠两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述衬底之中的源极和漏极。本发明实施例通过替换栅工艺形成的含氧的金属栅极不仅可以减小PMOS管的阈值电压，并且还不受器件栅宽的限制。 |
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