| 专利名称 | 一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法 | 申请号 | CN201010145102.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102213614A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 冀永辉;王风虎;刘明;王琴;龙世兵;闫锋 | 主分类号 | G01J1/42(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J1/42(2006.01)I | 专利有效期 | 一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法 至一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种消除成像器件工艺失配和成像非线性影响的方法，包括：为成像器件阵列中的每一个像素配置一个参考单元和若干个成像单元；建立分别以f(Vt)和g(h)为横坐标和纵坐标的矩阵MA；在实际成像操作时，先对所有的成像单元和参考单元进行擦除，对某一像素中的成像单元进行有光成像操作，对参考单元做无光成像操作，然后对参考单元的f(Vt)和g(h)进行测量，在矩阵MA中执行查表程序，得到实际光强的值。利用本发明提出的差分技术来消除初始阈值电压不同给成像阵列带来的影响，提高了成像质量，同时消除了成像过程中隧穿效应非线性引入的影响。 |
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