| 专利名称 | 电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法 | 申请号 | CN201110112739.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214786A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 孔祥东;韩立;薛虹;初明璋;李建国;林云生;方光荣 | 主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法 至电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法，该方法采用电子束在真空中对二硼化镁先驱膜进行退火，在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应最终生成二硼化镁超导薄膜。退火时电子束参数和退火时间依据不同的前驱膜厚度和退火温度要求来确定，通过精确控制电子束能量和剂量来完成不同厚度薄膜的退火。本发明制备的二硼化镁超导薄膜性能稳定、表面平整、转变温度高于35K，具有退火均匀、效率高、操作简单等优势，可用于多种功能薄膜的制备。 |
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