| 专利名称 | MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法 | 申请号 | CN201110129333.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102241388A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐高卫;罗乐;陈骁;焦继伟;宓斌玮 | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法 至MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种基于Chip?to?Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip?to?Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。 |
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