| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010220686.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102299156A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;韩锴;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是在栅极替代工艺(Replacement?gate或Gate?last)制备CMOS晶体管过程中，在NMOS器件区域和PMOS器件区域形成高k栅介质层后，分别形成属于NMOS区域的第一功函数调节介质层和属于PMOS区域的第二功函数调节介质层，以分别调节NMOS器件、PMOS器件的阈值电压，而且由于采用介质材料形成，其更容易选择性刻蚀，有利于进行工艺控制，而且也缓解了对双金属栅材料研究的压力。 |
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